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RAL035P01TCR
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RAL035P01TCR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-363-6
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1 V
PDF文件:RAL035P01TCR 数据手册 (14 页)典型应用电路图在13 页
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RAL035P01TCR 数据手册 (14 页)
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RAL035P01TCR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-363-6
通道数1 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻30 mΩ
极性P-Channel
功耗1 W
漏源极电压(Vds)12 V
漏源击穿电压12 V
连续漏极电流(Ids)3.5A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)2700pF @6V(Vds)
额定功率(Max)1 W
下降时间75 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)1W (Ta)
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RAL035P01TCR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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RAL035P01TCR 数据手册

RAL035P01TCR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
14 页 / 2.35 MByte
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RAL035P01 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1 V
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