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IPD600N25N3 G
来自 AiPCBA

IPD600N25N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
PDF文件:IPD600N25N3 G 数据手册 (9 页)
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IPD600N25N3 G 数据手册 (9 页)
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IPD600N25N3 G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
漏源极电阻0.051 Ω
极性N-Channel
功耗136 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)250 V
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)1770pF @100V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)136 W
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IPD600N25N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.41 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPD600N25N3 G 数据手册

IPD600N25N3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.47 MByte
IPD600N25N3 G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD600N25N3 G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPD600N25N3 G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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