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IPD60N10S4L-12
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IPD60N10S4L-12 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:场效应管(MOSFET) IPD60N10S4L-12 TO-252-3
PDF文件:IPD60N10S4L-12 数据手册 (9 页)
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IPD60N10S4L-12 数据手册 (9 页)
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IPD60N10S4L-12 技术参数、封装参数

类型描述
封装TO-252-3
通道数1 Channel
极性N-CH
功耗94 W
阈值电压1.1 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)60A
上升时间3 ns
下降时间21 ns
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IPD60N10S4L-12 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPD60N10S4L-12 数据手册

IPD60N10S4L-12 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.12 MByte
IPD60N10S4L-12 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPD60N10S4L-12 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPD60N10S4L-12 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

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N沟道 100V 60A
IPD60N10S4L-12 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPD60N10S4L-12 TO-252-3
IPD60N10S4-12 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPD60N10S4-12 TO-252-3
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