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IPD60N10S4L-12
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IPD60N10S4L-12 数据手册 (9 页)
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IPD60N10S4L-12 技术参数、封装参数

IPD60N10S4L-12 外形尺寸、物理参数、其它

IPD60N10S4L-12 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
56 页 / 6.94 MByte

IPD60N10S4 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 100V 60A
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPD60N10S4L-12 TO-252-3
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPD60N10S4-12 TO-252-3
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