类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 1.26 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 28.4 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.2A |
上升时间 | 7 ns |
输入电容值(Ciss) | 200pF @100V(Vds) |
额定功率(Max) | 28.4 W |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 28.4W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Discontinued at Digi-Key |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.41 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 600 V 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
Infineon(英飞凌)
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INFINEON IPD60R1K4C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
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Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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