| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 63.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.3A |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 440pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 63 W |
| 下降时间 | 13 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
18 页 / 1.24 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R600P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD60R600CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPD60R600P7S TO-252-3
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
