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FQPF3N80C
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FQPF3N80C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF3N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:FQPF3N80C 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页9 页
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FQPF3N80C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流3.00 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻4 Ω
极性N-Channel
功耗39 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
上升时间43.5 ns
输入电容值(Ciss)705pF @25V(Vds)
额定功率(Max)39 W
下降时间32 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)39 W
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FQPF3N80C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.16 mm
宽度4.7 mm
高度9.19 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQPF3N80C 数据手册

FQPF3N80C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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