| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.36 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 38.5 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.00 A |
| 上升时间 | 125 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3095pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 38.5 W |
| 下降时间 | 65 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 38.5W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.16 mm |
| 宽度 | 4.9 mm |
| 高度 | 15.87 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF15N65 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.36 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF15N65, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET UniFETTM 650 V， 15 A ， 440英里???? N-Channel UniFETTM MOSFET 650 V, 15 A, 440 mï
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N沟道MOSFET 400V ， 15A ， 0.3Ω N-Channel MOSFET 400V, 15A, 0.3Ω
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