类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 300 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 2A |
最小电流放大倍数 | 100 |
直流电流增益(hFE) | 300 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.2 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -370mV/-0.37V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat )and corresponding low RCE(sat) • High collector current capability • High collector current gain • Improved efficiency due to reduced heat generation. APPLICATIONS • Power management applications • Low and medium power DC/DC convertors • Supply line switching • Battery chargers • Linear voltage regulation with low voltage drop-out 描述与应用| 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE(饱和)和相应的低RCE(饱和) •高集电极电流能力 •高集电极电流增益 •由于产生的热量减少,提高了效率。 应用 •电源管理应用 •低功率和中功率DC/ DC转换器 •供电线路开关 •电池充电器 •线性电压调节,低电压降
NXP(恩智浦)
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Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4350Z,135 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350X,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia(安世)
三极管(晶体管) PBSS4350X,135 S43 SOT-89
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4350Z 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4350D,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350SS,115, 双 NPN 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:300, 1 MHz, 8引脚 SOT-96封装
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PBSS4350SS 系列 50 V 2.7 A NPN/NPN 低VCEsat (BISS) 晶体管 - SOIC-8
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