类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.54 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 60 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.10 A |
上升时间 | 12 ns |
输入电容值(Ciss) | 550pF @100V(Vds) |
下降时间 | 17 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 60000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.71 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 1.89 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPD60R600P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPD60R600CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPD60R600P7S TO-252-3
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.49 ohm, 10 V, 3.5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件