| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 16.1A |
| 输入电容值(Ciss) | 950pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 208 W |
| 下降时间 | 9 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R250C6XTMA1, 16 A, Vds=700 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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650V,250mΩ,16.1A,N沟道功率MOSFET
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Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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