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IPN50R1K4CE
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IPN50R1K4CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:SOT-223
描述:500V,1400mΩ,4.8A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPN50R1K4CE 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPN50R1K4CE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-223
漏源极电压(Vds)500 V
工作温度(Min)-40.0 ℃
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IPN50R1K4CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
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IPN50R1K4CE 数据手册

IPN50R1K4CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.26 MByte
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