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IPD80N04S306ATMA1
来自 AiPCBA

IPD80N04S306ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:N沟道 40V 90A
PDF文件:IPD80N04S306ATMA1 数据手册 (9 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IPD80N04S306ATMA1 数据手册 (9 页)
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IPD80N04S306ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
极性N-CH
功耗100W (Tc)
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)90A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)3250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)100 W
下降时间10 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)100W (Tc)
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IPD80N04S306ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPD80N04S306ATMA1 数据手册

IPD80N04S306ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.18 MByte
IPD80N04S306ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPD80N04S306ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPD80N04S306ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

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