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NTHC5513T1
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NTHC5513T1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SMD-8
描述:功率MOSFET的20 V ， 3.9 A / -3.0 A，互补ChipFET -TM Power MOSFET 20 V, +3.9 A / −3.0 A, Complementary ChipFET-TM
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NTHC5513T1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)20.0 V
额定电流3.10 A
封装SMD-8
通道数2 Channel
漏源极电阻80.0 mΩ, 200 mΩ
极性N-Channel, P-Channel
功耗1.1 W
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
栅源击穿电压±12.0 V
连续漏极电流(Ids)2.10 A
上升时间13.0 ns
输入电容值(Ciss)180pF @10V(Vds)
额定功率(Max)1.1 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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NTHC5513T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.05 mm
宽度1.65 mm
高度1.05 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTHC5513T1 数据手册

NTHC5513T1 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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