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IPD80R1K0CE
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IPD80R1K0CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:800V,950mΩ,5.7A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPD80R1K0CE 数据手册 (15 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IPD80R1K0CE 数据手册 (15 页)
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IPD80R1K0CE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
极性N-CH
功耗83 W
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)5.7A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)785pF @100V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)83000 mW
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IPD80R1K0CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPD80R1K0CE 数据手册

IPD80R1K0CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 2.26 MByte
IPD80R1K0CE 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD80R1K0CE 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPD80R1K0CE 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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