| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 40.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.009 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 80 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 165 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1440pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 80 W |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 80W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 40A（Tc） 80W（Tc） DPAK
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD40NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
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N沟道30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
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