| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 83 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 83 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.7A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 785pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 83 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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15 页 / 2.26 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD80R1K0CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新
Infineon（英飞凌）
800V,950mΩ,5.7A,N沟道功率MOSFET
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