Datasheet 搜索 > Infineon（英飞凌） > IPD80R2K8CE Datasheet 文档
IPD80R2K8CE
来自 AiPCBA

IPD80R2K8CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-252-3
描述:800V,1.9A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPD80R2K8CE 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPD80R2K8CE 数据手册 (15 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IPD80R2K8CE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
极性N-CH
功耗42 W
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)1.9A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)290pF @100V(Vds)
下降时间18 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)42000 mW
查看数据手册 >

IPD80R2K8CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IPD80R2K8CE 数据手册

IPD80R2K8CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 2.25 MByte
IPD80R2K8CE 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD80R2K8CE 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPD80R2K8CE 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPD80R2K8 数据手册

IPD80R2K8CEATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V
IPD80R2K8CEBTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
IPD80R2K8CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
800V,1.9A,N沟道功率MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet