| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 13.5 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 500 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 输入电容 | 2220 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.5 A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2220pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 160 W |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 160W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.75 mm |
| 宽度 | 10.4 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.45ohm - 13.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道600V - 0.45ohm - 13.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
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N沟道600V - 0.45ohm - 13.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
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