| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 83 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.2 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 83 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.1A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 710pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 83 W |
| 下降时间 | 40 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 83W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 900 V 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.37 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD90R1K2C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPD90R1K2C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90R1K2C3BTMA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
