类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.07 Ω |
功耗 | 300 W |
阈值电压 | 2 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
上升时间 | 17 ns |
输入电容值(Ciss) | 3060pF @100V(Vds) |
额定功率(Max) | 300 W |
下降时间 | 119 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3
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场效应管(MOSFET) STW48N60M2-4 TO-247-4
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STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V 新
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