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IPG20N06S2L-50A
来自 AiPCBA

IPG20N06S2L-50A 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TDSON
描述:N沟道 55V 20A
PDF文件:IPG20N06S2L-50A 数据手册 (10 页)
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IPG20N06S2L-50A 数据手册 (10 页)
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IPG20N06S2L-50A 技术参数、封装参数

类型描述
封装TDSON
通道数2 Channel
极性N-CH
漏源极电压(Vds)55 V
漏源击穿电压55 V
连续漏极电流(Ids)20A
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IPG20N06S2L-50A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
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IPG20N06S2L-50A 数据手册

IPG20N06S2L-50A 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.15 MByte
IPG20N06S2L-50A 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPG20N06S2L-50A 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
28 页 / 4.06 MByte
IPG20N06S2L-50A 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

IPG20N06S2L50 数据手册

IPG20N06S2L-50 数据手册
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INFINEON  IPG20N06S2L-50  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.039 ohm, 10 V, 1.6 V
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INFINEON  IPG20N06S2L50ATMA1  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.039 ohm, 10 V, 1.6 V
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