| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TDSON-8-10 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 漏源极电阻 | 50 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 51 W |
| 阈值电压 | 1.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20A |
| 上升时间 | 3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 560pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 51 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 51000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.9 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 1.27 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 55V 20A 51W 表面贴装，可润湿侧翼 PG-TDSON-8-10
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.19 MByte
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138 页 / 12.05 MByte
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40 页 / 0.46 MByte
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56 页 / 6.94 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPG20N06S2L-50 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.039 ohm, 10 V, 1.6 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPG20N06S2L50ATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.039 ohm, 10 V, 1.6 V
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