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IPL60R180P6
来自 AiPCBA

IPL60R180P6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:ThinPAK-5
描述:N沟道 600V 22.4A
PDF文件:IPL60R180P6 数据手册 (15 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IPL60R180P6 数据手册 (15 页)
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IPL60R180P6 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装ThinPAK-5
通道数1 Channel
漏源极电阻162 mΩ
极性N-CH
功耗176 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)22.4A
上升时间7.6 ns
输入电容值(Ciss)2080pF @100V(Vds)
下降时间5.8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)40 ℃
耗散功率(Max)176000 mW
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IPL60R180P6 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度8 mm
宽度8 mm
高度1 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃
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IPL60R180P6 数据手册

IPL60R180P6 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.59 MByte
IPL60R180P6 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPL60R180P6 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
42 页 / 1.35 MByte
IPL60R180P6 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPL60R180 数据手册

IPL60R180P6AUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 600 V, 0.162 ohm, 10 V, 4 V
IPL60R180P6 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 600V 22.4A
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