| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 300 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 1.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 225 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 62.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 300 mA |
| 上升时间 | 2.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 45pF @5V(Vds) |
| 下降时间 | 2.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 225mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 300mA/0.3A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.75Ω/Ohm @300mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.4V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| DPAK For Surface Mount Applications • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| DPAK表面贴装应用 •低的RDS（on） 提供更高的效率和延长电池寿命 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor（安森美）
17 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBF0201NLT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 300毫安， 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
