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IPL60R199CPAUMA1
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IPL60R199CPAUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PowerTSFN-4
描述:INFINEON  IPL60R199CPAUMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16.4 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPL60R199CPAUMA1 数据手册 (13 页)封装尺寸在12 页
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IPL60R199CPAUMA1 数据手册 (13 页)
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IPL60R199CPAUMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装PowerTSFN-4
额定功率139 W
针脚数5 Position
漏源极电阻0.18 Ω
极性N-Channel
功耗139 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)16.4A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)1520pF @100V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)139000 mW
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IPL60R199CPAUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tape & Reel (TR)
长度8.1 mm
宽度8.1 mm
高度1.1 mm
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IPL60R199CPAUMA1 数据手册

IPL60R199CPAUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.56 MByte
IPL60R199CPAUMA1 其他数据使用手册
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26 页 / 0.37 MByte

IPL60R199 数据手册

IPL60R199CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPL60R199CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16.4 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
IPL60R199CPAUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPL60R199CPAUMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16.4 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
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