| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 输出电流 | ≤30.0 A |
| 正向电压 | 910mV @30A |
| 极性 | Standard |
| 正向电压(Max) | 910mV @30A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -20 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.54 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 8.89 mm |
| 工作温度 | -20℃ ~ 150℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
5 页 / 0.15 MByte
VISHAY（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY V30100S-E3/4W 二极管, 肖特基, 30A, 100V, TO-220AB-3
VISHAY（威世）
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Semiconductor（威世）
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
肖特基二极管与整流器 RECOMMENDED ALT 78-V40PW10C-M3/I
Vishay Semiconductor（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.39 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
