| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 电源电压 | 3.30 V, 3.60 V (max) |
| 封装 | TSOP |
| 时钟频率 | 70.0 GHz |
| 存取时间 | 70.0 ns |
| 内存容量 | 8000000 B |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
Micron（镁光）
MICRON M29W800DB70N6E 闪存, 引导块, 非, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块） 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
8兆位（1MB X8或X16 512KB ，引导块） 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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