类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
电源电压 | 3.30 V, 3.60 V (max) |
封装 | TSOP-48 |
时钟频率 | 70.0 GHz |
存取时间 | 70.0 ns |
内存容量 | 8000000 B |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tray |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
43 页 / 0.29 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
Micron(镁光)
MICRON M29W800DB70N6E 闪存, 引导块, 非, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
8兆位(1MB X8或X16 512KB ,引导块) 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics(意法半导体)
8兆位(1MB X8或X16 512KB ,引导块) 3V供应闪存 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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