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IPN50R3K0CE
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IPN50R3K0CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-223
描述:500V,3000mΩ,2.6A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPN50R3K0CE 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPN50R3K0CE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-223
漏源极电压(Vds)500 V
上升时间5.8 ns
输入电容值(Ciss)84pF @100V(Vds)
下降时间49 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)5000 mW
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IPN50R3K0CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IPN50R3K0CE 数据手册

IPN50R3K0CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.27 MByte
IPN50R3K0CE 产品设计参考手册
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270 页 / 11.59 MByte
IPN50R3K0CE 其他数据使用手册
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51 页 / 2.6 MByte
IPN50R3K0CE 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPN50R3K0CE 产品封装文件
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.22 MByte

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