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IRF6678
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IRF6678 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:DirectFET-MX
PDF文件:IRF6678 数据手册 (11 页)
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IRF6678 数据手册 (11 页)
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IRF6678 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装DirectFET-MX
通道数1 Channel
漏源极电阻3 mΩ
极性N-CH
功耗2.8 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)30A
上升时间71 ns
输入电容值(Ciss)5640pF @15V(Vds)
额定功率(Max)2.8 W
下降时间8.1 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)40 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
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IRF6678 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度6.35 mm
宽度5.05 mm
高度0.7 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRF6678 数据手册

IRF6678 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.25 MByte
IRF6678 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.26 MByte
IRF6678 其他参考文件
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte
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