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BSM100GB120DN2K
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BSM100GB120DN2K 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:34MM-1
描述:IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
PDF文件:BSM100GB120DN2K 数据手册 (10 页)
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BSM100GB120DN2K 数据手册 (10 页)
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BSM100GB120DN2K 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数7 Pin
封装34MM-1
功耗700 W
击穿电压(集电极-发射极)1.20 kV
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)700000 mW
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BSM100GB120DN2K 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
长度94 mm
宽度34 mm
高度30.5 mm
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BSM100GB120DN2K 数据手册

BSM100GB120DN2K 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.3 MByte

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