| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 94 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0031 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 94 W |
| 阈值电压 | 1.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80A |
| 上升时间 | 5.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6100pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 94 W |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 94W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V
●OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04LGXKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP039N04L G 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3.1 mohm, 10 V, 1.2 V
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