| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 36.0 A |
| 封装 | SOT-227-4 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 180 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 520W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 36.0 A |
| 上升时间 | 45.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 9000pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 520W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 包装方式 | Tube |
| 宽度 | 25.42 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN36N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 V
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IXFN 系列 单通道 N 沟道 100 Vds 2.6 mOhm 830 W 功率 MOSFET - SOT-227B
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N-沟道 150 V 1070 W 715 nC TranchT2 HiperFET 功率 MosFet 表面贴装 - SOT-227
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