| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3-1 |
| 额定功率 | 300 W |
| 功耗 | 300 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 12000pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 21 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 包装方式 | Tube |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP05CN10NGXKSA1, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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