| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.12 Ω |
| 功耗 | 3 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 214pF @30V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.32 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.48 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT014 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 180 mohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT014, 2.7 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT014L 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 1.5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT014L, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
