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IPP320N20N3G
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IPP320N20N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3-1
描述:200V,34A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPP320N20N3G 数据手册 (11 页)
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IPP320N20N3G 数据手册 (11 页)
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IPP320N20N3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3-1
极性N-Channel
功耗136 W
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)1770pF @100V(Vds)
下降时间4 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)136000 mW
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IPP320N20N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail, Tube
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IPP320N20N3G 数据手册

IPP320N20N3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.4 MByte

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