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IPD80R1K4P7
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IPD80R1K4P7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:N沟道 800V 4A
PDF文件:IPD80R1K4P7 数据手册 (13 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IPD80R1K4P7 数据手册 (13 页)
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IPD80R1K4P7 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
功耗32 W
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)250pF @500V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)32000 mW
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IPD80R1K4P7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPD80R1K4P7 数据手册

IPD80R1K4P7 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.96 MByte

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