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IPP320N20N3GXKSA1
来自 AiPCBA

IPP320N20N3GXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:IPP320N20N3GXKSA1 数据手册 (11 页)
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焊盘图
引脚图
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IPP320N20N3GXKSA1 数据手册 (11 页)
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IPP320N20N3GXKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率136 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.028 Ω
极性N-Channel
功耗136 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)34A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)1770pF @100V(Vds)
下降时间4 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)136 W
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IPP320N20N3GXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
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IPP320N20N3GXKSA1 数据手册

IPP320N20N3GXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.4 MByte
IPP320N20N3GXKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP320N20N3GXKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPP320N20N3GXKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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INFINEON  IPP320N20N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.028 ohm, 10 V, 3 V
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