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IDT04S60C
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IDT04S60C 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-220
描述:第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
PDF文件:IDT04S60C 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IDT04S60C 数据手册 (7 页)
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IDT04S60C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流4.00 A
封装TO-220
输出电流≤4.00 A
正向电压1.7 V
极性Standard
正向电流4 A
最大正向浪涌电流32 A
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
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IDT04S60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度9.9 mm
宽度4.4 mm
高度9.2 mm
工作温度55℃ ~ 175℃
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IDT04S60C 数据手册

IDT04S60C 数据手册
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.25 MByte
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第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
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第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
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