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IPP60R180C7XKSA1
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IPP60R180C7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPP60R180C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPP60R180C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPP60R180C7XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率68 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻155 mΩ
极性N-Channel
功耗68 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)13A
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)1080pF @400V(Vds)
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)68W (Tc)
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IPP60R180C7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPP60R180C7XKSA1 数据手册

IPP60R180C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.9 MByte
IPP60R180C7XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP60R180C7XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
66 页 / 6.48 MByte
IPP60R180C7XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
74 页 / 12.08 MByte

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IPP60R180C7 数据手册
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晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 3.5 V
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