| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 31.2A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3240pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 277800 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
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Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R110CFDXKSA1, 31 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
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