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IPD048N06L3G
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IPD048N06L3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:60V,4.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPD048N06L3G 数据手册 (9 页)
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IPD048N06L3G 数据手册 (9 页)
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IPD048N06L3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252
极性N-Channel
上升时间5 ns
下降时间12 ns
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IPD048N06L3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPD048N06L3G 数据手册

IPD048N06L3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.43 MByte

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