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IPT111N20NFDATMA1
来自 AiPCBA

IPT111N20NFDATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:PG-HSOF-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 200 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPT111N20NFDATMA1 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPT111N20NFDATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数9 Pin
封装PG-HSOF-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.009 Ω
极性N-CH
功耗375 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)96A
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)5300pF @100V(Vds)
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)375000 mW
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IPT111N20NFDATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IPT111N20NFDATMA1 数据手册

IPT111N20NFDATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.98 MByte
IPT111N20NFDATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPT111N20NFDATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
IPT111N20NFDATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPT111N20NFDATMA1 产品封装文件
Infineon（英飞凌）
4 页 / 0.68 MByte

IPT111N20 数据手册

IPT111N20NFDATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 200 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V
IPT111N20NFD 数据手册
Infineon（英飞凌）
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