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IPT60R080G7XTMA1
来自 AiPCBA

IPT60R080G7XTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:PG-HSOF-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.069 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPT60R080G7XTMA1 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPT60R080G7XTMA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数9 Pin
封装PG-HSOF-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.069 Ω
功耗167 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)1640pF @400V(Vds)
下降时间3.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)167000 mW
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IPT60R080G7XTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IPT60R080G7XTMA1 数据手册

IPT60R080G7XTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 0.95 MByte
IPT60R080G7XTMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPT60R080G7XTMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPT60R080G7XTMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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IPT60R080G7 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPT60R080G7 HSOF-8
IPT60R080G7XTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.069 ohm, 10 V, 3.5 V
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