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IPT65R105G7
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IPT65R105G7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:HSOF-8
描述:场效应管(MOSFET) IPT65R105G7 HSOF-8
PDF文件:IPT65R105G7 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPT65R105G7 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数9 Pin
封装HSOF-8
极性N-CH
功耗156 W
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)24A
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)1670pF @400V(Vds)
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)156000 mW
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IPT65R105G7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPT65R105G7 数据手册

IPT65R105G7 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.16 MByte
IPT65R105G7 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
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33 页 / 1.03 MByte
IPT65R105G7 开发手册
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Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPT65R105G7 HSOF-8
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