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IPW65R037C6FKSA1
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IPW65R037C6FKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-247-3
描述:INFINEON  IPW65R037C6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 83.2 A, 650 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPW65R037C6FKSA1 数据手册 (15 页)
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IPW65R037C6FKSA1 数据手册 (15 页)
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IPW65R037C6FKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
额定功率500 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.033 Ω
极性N-Channel
功耗500 W
阈值电压3 V
输入电容7240 pF
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)83.2A
上升时间32 ns
输入电容值(Ciss)7240pF @100V(Vds)
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)500W (Tc)
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IPW65R037C6FKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPW65R037C6FKSA1 数据手册

IPW65R037C6FKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.11 MByte
IPW65R037C6FKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPW65R037C6FKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPW65R037C6FKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPW65R037C6FKSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

IPW65R037C6 数据手册

IPW65R037C6 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW65R037C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 83.2 A, 650 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V
IPW65R037C6FKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW65R037C6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 83.2 A, 650 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V
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