| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 99 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 277.8 W |
| 阈值电压 | 3.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 31.2A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3240pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 277800 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.13 mm |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 高度 | 21.1 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
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INFINEON IPW65R110CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
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IPW65R110 系列 650V 0.11 Ohm N沟道 CoolMOSTM CFD2 功率 晶体管-PG-TO-247-3
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晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 31.2 A, 650 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
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