| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 8 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 150 mW |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100 mA |
| 上升时间 | 35 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 13pF @5V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 mW |
| 下降时间 | 80 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 100mA 150mW 表面贴装型 UMT6
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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UM6K1 复合场效应管 30V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UMT6 marking/标记 K1 接口电路 开关电路
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ROHM UM6K1NTN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
CJ（长电科技）
MOS场效应管 UM6K1N K1 SC-88(SOT-363) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V
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2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET
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