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IPW90R800C3
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IPW90R800C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:900V,800mΩ,6.9A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPW90R800C3 数据手册 (11 页)
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焊盘图
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IPW90R800C3 数据手册 (11 页)
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IPW90R800C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
极性N-Channel
功耗104 W
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)6.90 A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max)104 W
下降时间32 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)104W (Tc)
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IPW90R800C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPW90R800C3 数据手册

IPW90R800C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.53 MByte

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