| 类型 | 描述 |
|---|
| 频率 | 960 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电流 | 9 A |
| 封装 | M-243 |
| 功耗 | 108000 mW |
| 输入电容 | 58 pF |
| 输出功率 | 59 W |
| 增益 | 17.7 dB |
| 测试电流 | 300 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 58pF @28V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 108000 mW |
| 额定电压 | 80 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS LET9045F 晶体管, 射频FET, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250
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